| 发明名称 | 一种透明阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的锆铪氧化物薄膜、非晶的氧化锆薄膜或非晶的二氧化铪薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控溅射的方法依次在透明衬底上沉积下电极层—阻变层—上电极层。本发明所提供的透明阻变存储器，具有良好的透光性，其在可见光波段范围内的透光率均在76%以上，最高可达92%左右。 | ||
| 申请公布号 | CN103311434B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310201770.8 | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 河北大学 | 发明人 | 闫小兵;张二鹏;娄建忠;刘保亭 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人 | 白海静 |
| 主权项 | 一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，其特征是，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的锆铪氧化物薄膜，所述锆铪氧化物的化学通式为Zr<sub>n</sub>Hf<sub>1‑n</sub>O<sub>2</sub>，其中n=0.1，0.2，0.3，0.4，0.5，0.6，0.7，0.8或0.9。 | ||
| 地址 | 071002 河北省保定市五四东路180号 | ||