半导体发光元件及其制造方法

摘要

实现即使是在供给高电流时，也可防止电流集中于电流供给部附近的区域之状况的半导体发光元件。;本发明的半导体发光元件，系于基板上，具有包含p型半导体层、发光层及n型半导体层之半导体层所成，且具有接触形成于半导体层的一部分上面，包含与电流供给线连结的电流供给部的第一电极、形成于电流供给部之非形成区域的垂直下方的一部分区域，与半导体层的一部分底面接触，以使来自发光层的射出光反射的材料所形成的第二电极、及形成于包含电流供给部的垂直下方的区域，与半导体层的一部分底面接触的第一电流遮断层；第一电流遮断层与半导体层的接触处之接触电阻，比第二电极与半导体层的接触处之接触电阻还高。