发明名称 发光二极体结构;LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE
摘要 一种发光二极体结构,包括一基板、一N型半导体层、一发光层以及一P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上,且包括一P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85%以上。
申请公布号 TW201526284 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW102148234 申请日期 2013.12.25
申请人 新世纪光电股份有限公司 GENESIS PHOTONICS INC. 发明人 李玉柱 LI, YU CHU
分类号 H01L33/32(2010.01) 主分类号 H01L33/32(2010.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 台南市善化区大利三路5号 TW