发明名称 |
发光二极体结构;LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE |
摘要 |
一种发光二极体结构,包括一基板、一N型半导体层、一发光层以及一P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上,且包括一P型氮化铝镓层。P型氮化铝镓层的厚度占整体P型半导体层的厚度的85%以上。 |
申请公布号 |
TW201526284 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
TW102148234 |
申请日期 |
2013.12.25 |
申请人 |
新世纪光电股份有限公司 GENESIS PHOTONICS INC. |
发明人 |
李玉柱 LI, YU CHU |
分类号 |
H01L33/32(2010.01) |
主分类号 |
H01L33/32(2010.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
主权项 |
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地址 |
台南市善化区大利三路5号 TW |