| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明的目的之一在于提供一种具有稳定电特性的薄膜电晶体的高可靠性的半导体装置。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反堆叠型薄膜电晶体的半导体装置中，在氧化物半导体层之上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的通道形成区与源极电极层及汲极电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的通道形成区上的区域的导电率低于半导体层的通道形成区的导电率，并且与源极电极层及汲极电极层接触的区域的导电率高于半导体层的通道形成区的导电率。 |
| 申请公布号 |
TW201526247 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
| 申请号 |
TW104108311 |
申请日期 |
2010.03.05 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
坂田淳一郎 SAKATA, JUNICHIRO;广桥拓也 HIROHASHI, TAKUYA;岸田英幸 KISHIDA, HIDEYUKI |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L29/40(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
日本 JP |
