| 发明名称 | 半导体装置及其制备方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI490952 | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | TW102116320 | 申请日期 | 2013.05.08 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 杨广军;班森 罗素 |
| 分类号 | H01L21/461;H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/461 |
| 代理机构 | 代理人 | 冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含：一基材，包含一柱体，该柱体包含一主动区；一字元线，形成于该基材上；一绝缘材料，形成于该字元线上；一蚀刻停止材料，形成于该绝缘材料上并围绕着该柱体；以及一数位线，形成于该蚀刻停止材料上；其中该蚀刻停止材料包含一凹部，该凹部之一底端低于该柱体之一柱体顶面，该凹部曝露该柱体顶面，该绝缘材料包含二氧化矽，该蚀刻停止材料包含氮化矽。 | ||
| 地址 | 桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号 | ||