发明名称 |
不对称深度微沟槽电极及应用其放电加工微弯孔的方法 |
摘要 |
本发明公开了不对称深度微沟槽电极及应用其放电加工微弯孔的方法。该不对称深度微沟槽电极在圆柱形的电极整个圆周上沿轴向布有V形的微沟槽,微沟槽的深度呈上下逐渐变深趋势,从上到下左右对称地为第二微沟槽到第n微沟槽,微沟槽的沟槽深度变化规律为:h<sub>n</sub>=h<sub>(n‐1)</sub>+D/m,电极的中心设有通气孔。使用时,电极连接脉冲电源的负极,工件连接脉冲电源的正极,脉冲电源的电压为20~300V,电流为0.5~50A,脉冲电源频率20~1000Hz;电极中的通气孔通入脉冲气流,频率与脉冲电源频率相同。本发明不对称深度微沟槽电极的放电使得微电极朝着更深的微槽圆柱面方向偏移,从而加工出微弯曲孔。 |
申请公布号 |
CN104741711A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201510100665.4 |
申请日期 |
2015.03.06 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
谢晋;司贤海;鲁艳军;吴鸿沛;徐伟胜;王小乾 |
分类号 |
B23H1/04(2006.01)I;B23H9/14(2006.01)I |
主分类号 |
B23H1/04(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
罗观祥;江间开 |
主权项 |
一种不对称深度微沟槽电极,其特征在于,在圆柱形的电极整个圆周上沿轴向布有V形的微沟槽,微沟槽在整个圆周上呈左右对称,上下为不对称分布,微沟槽的深度呈上下逐渐变深趋势,其中最上面微沟槽为第一微沟槽,第一微沟槽的深度h<sub>1</sub>最浅,从上到下左右对称地为第二微沟槽到第n微沟槽,微沟槽的沟槽深度变化规律为:h<sub>n</sub>=h<sub>(n‐1)</sub>+D/m,其中h<sub>(n‐1)</sub>为电极表面第n‐1条微沟槽的深度,h<sub>n</sub>为第n条微沟槽的深度,n的取值范围为1<n<30,D为电极的外径,m是一个正实数,取值范围为50<m<80;电极的中心设有通气孔,通气孔的直径为0.1~2.5毫米;所述微沟槽的表面涂有绝缘涂层。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |