发明名称 |
等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法,其中,所述制造方法包括如下步骤:提供一陶瓷基底;在所述陶瓷基底上打若干通孔,所述通孔用于容纳金属连接线;提供若干金属连接线,将所述若干金属连接线冷却到室温以下,并将冷却后的若干金属连接线分别镶嵌入所述陶瓷基底的所述若干通孔之中;将上述镶嵌了金属连接线的陶瓷基底至于常温之中;将直流电极层置于所述陶瓷基底之上;在放置了直流电极层的陶瓷基底之上涂覆抗腐蚀层。本发明制造的金属连接线,不会损坏直流电极层,在其上继续涂覆抗腐蚀层也极为稳定。 |
申请公布号 |
CN104752118A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310726396.3 |
申请日期 |
2013.12.25 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
贺小明 |
分类号 |
H01J9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种等离子体处理腔室的静电夹盘的制造方法,其中,所述制造方法包括如下步骤:提供一陶瓷基底;在所述陶瓷基底上打若干通孔,所述通孔用于容纳金属连接线;提供若干金属连接线,将所述若干金属连接线冷却到室温以下,并将冷却后的若干金属连接线分别镶嵌入所述陶瓷基底的所述若干通孔之中;将上述镶嵌了金属连接线的陶瓷基底至于常温之中;将直流电极层置于所述陶瓷基底之上;在放置了直流电极层的陶瓷基底之上涂覆抗腐蚀层。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |