| 发明名称 | 一种薄膜晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括如下步骤：（1）首先利用化学气相沉积法在薄膜晶体管的基板上沉积一层非晶硅；（2）利用准分子激光退火技术将非晶硅结晶，成为多晶硅，在结晶过程中多晶硅表面产生大量的由于激光退火结晶造成的凸起；（3）利用涂布方式在具有凸起的多晶硅上面制作平坦化层，使该平坦化层完全覆盖多晶硅的凸起；（4）对所述平坦化层进行刻蚀，当刻蚀到凸起部分时，平坦化层与凸起一起被刻蚀掉，并在所述多晶硅上留下剩余平坦化层与剩余少量凸起。采用本发明薄膜晶体管的制作方法，可大大降低ELA结晶后多晶硅的凸起高度，提高AMOLED背板的均匀性，使显示效果更佳。 | ||
| 申请公布号 | CN104752203A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310734217.0 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 | 发明人 | 赵景训 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人 | 马廷昭 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其包括如下步骤：（1）首先利用化学气相沉积法在薄膜晶体管的基板上沉积一层非晶硅；（2）利用准分子激光退火技术将非晶硅结晶，成为多晶硅，在结晶过程中多晶硅表面产生大量的由于激光退火结晶造成的凸起；（3）利用涂布方式在具有凸起的多晶硅上面制作平坦化层，使该平坦化层完全覆盖多晶硅的凸起；（4）对所述平坦化层进行刻蚀，当刻蚀到凸起部分时，平坦化层与凸起一起被刻蚀掉，并在所述多晶硅上留下剩余平坦化层与剩余凸起。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市开发区光电产业园富春江路320号 | ||