发明名称 |
导电孔阵列图形的形成方法 |
摘要 |
一种导电孔阵列图形的形成方法,包括:以原始导电孔阵列图形为基础,形成具有多个辅助导电孔图形的新导电孔阵列图形,在新导电孔阵列图形中,每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布;以新导电孔阵列图形为基础,制作第一掩模板和第二掩模板,其中,第一掩模板用于曝光形成新导电孔阵列图形,第二掩模板用于曝光形成第二掩模层;以第二掩模板为掩模曝光形成第二掩模层,第二掩模层覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域,并暴露出晶圆用于形成原始导电孔阵列图形的区域;形成第二掩模层后,以第一掩模板为掩模曝光形成第一掩模层;以第一掩模层和第二掩模层为掩模,刻蚀晶圆形成实际的导电孔阵列图形。形成的实际的导电孔图形的质量好。 |
申请公布号 |
CN104752319A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310739672.X |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
李天慧 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;G03F1/36(2012.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种导电孔阵列图形的形成方法,其特征在于,包括:提供原始导电孔阵列图形,所述原始导电孔阵列图形中具有多个原始导电孔图形;以所述原始导电孔阵列图形为基础,形成具有多个辅助导电孔图形的新导电孔阵列图形,在所述新导电孔阵列图形中,每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布;以所述新导电孔阵列图形为基础,制作第一掩模板和第二掩模板,其中,所述第一掩模板用于曝光形成新导电孔阵列图形,所述第二掩模板用于曝光形成第二掩模层;以所述第二掩模板为掩模曝光形成第二掩模层,所述第二掩模层覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域,并暴露出晶圆用于形成原始导电孔阵列图形的区域;形成第二掩模层后,以所述第一掩模板为掩模曝光形成第一掩模层;以所述第一掩模层和第二掩模层为掩模,刻蚀晶圆形成实际的导电孔阵列图形。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |