一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法

摘要

一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法，包括以下步骤：（1）将多晶硅片置于按体积比混合的溶液中：质量分数37%的浓盐酸18-24份、质量分数65%的浓硝酸6-8份、去离子水98-106份，常温清洗60-360s；（2）将步骤（1）清洗后的硅片置于用去离子水中常温浸泡80-240s以清除残留在硅片表面的硝酸和盐酸；（3）将步骤（2）清洗过的硅片放入按体积比混合的溶液中：质量分数49%的浓氢氟酸15-35份，质量分数37%的浓盐酸15-35份，去离子水75-100份，常温浸泡120-360s，去除硅片表面形成的氧化硅层及夹杂在其中的金属杂质。本发明工艺简单成本低，去除硅片表面金属等夹杂效果非常好，有利于提高硅片少子寿命和晶体硅太阳能电池转换效率，且与现有晶体硅太阳能电池生成线工艺兼容性好。

主权项

一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法，其特征是包括以下步骤：（1）将多晶硅片置于按体积比混合的溶液中：质量分数37%的浓盐酸18‑24份、质量分数65%的浓硝酸6‑8份、去离子水98‑106份，常温清洗60‑360s；（2）将步骤（1）清洗后的硅片置于用去离子水中常温浸泡80‑240s以清除残留在硅片表面的硝酸和盐酸；（3）将步骤（2）清洗过的硅片放入按体积比混合的溶液中：质量分数49%的浓氢氟酸15‑35份，质量分数37%的浓盐酸15‑35份，去离子水75‑100份，常温浸泡120‑360s，去除硅片表面形成的氧化硅层及夹杂在其中的金属杂质。