| 发明名称 | 金属栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域从下到上形成有第一高K栅介质层、第一阻挡层和第一伪栅极，所述NMOS区域从下到上形成有第二高K栅介质层、第二阻挡层和第二伪栅极，所述半导体衬底上还具有层间介质层；去除所述第一伪栅极形成第一沟槽；对所述第一阻挡层和所述第一高K栅介质层进行贮气退火处理；去除所述第二伪栅极形成第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部和侧壁同时形成功函数金属层；采用金属材料同时填充满所述第一沟槽和所述第二沟槽。所述形成方法简化了制作工艺，并降低工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104752176A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310739022.5 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域从下到上形成有第一高K栅介质层、第一阻挡层和第一伪栅极，所述NMOS区域从下到上形成有第二高K栅介质层、第二阻挡层和第二伪栅极，所述半导体衬底上还具有层间介质层，所述层间介质层表面与所述第一伪栅极和所述第二伪栅极表面齐平；去除所述第一伪栅极形成第一沟槽；对所述第一阻挡层和所述第一高K栅介质层进行贮气退火处理；去除所述第二伪栅极形成第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部和侧壁同时形成功函数金属层；采用金属材料同时填充满所述第一沟槽和所述第二沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||