| 发明名称 | 基板处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不使用卤素气体就能够提高铜部件的蚀刻率的基板处理方法。在基板处理装置(10)中，在得到了具有被平滑化的表面(50)的Cu层(40)后，将在氢气中添加了甲烷气体的处理气体导入处理室(15)的内部空间，从该处理气体生成等离子体，使在氧化层(42)的蚀刻时生成的氧游离基(52)和从甲烷生成的碳游离基(53)存在于处理室(15)的内部空间，从氧游离基(52)和碳游离基(53)生成有机酸，使该有机酸与Cu层(40)的铜原子反应，而生成含有铜原子的有机酸的络合物，进而使该生成的该络合物蒸发。 | ||
| 申请公布号 | CN102593045B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201110462711.7 | 申请日期 | 2011.12.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 西村荣一 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，在对基板实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置中被执行，所述基板处理方法的特征在于，具有：对所述基板所具备的含有氧的层进行蚀刻，并生成氧游离基的含氧层蚀刻步骤；和在所述含氧层蚀刻步骤后，从在氢气中添加了碳化合物的气体的处理气体生成等离子体，并利用该等离子体对所述基板具备的铜部件进行蚀刻的主蚀刻步骤，合成所述氧游离基和从所述碳化合物生成的碳游离基而生成有机酸，该有机酸与所述铜部件的铜原子反应生成含铜原子的有机酸的络合物，在所述含氧层蚀刻步骤和所述主蚀刻步骤中，不使用卤素气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||