发明名称 用于化学机械抛光钨的方法
摘要 本发明涉及用于化学机械抛光钨的方法,提供了一种使用非选择性化学机械抛光组合物对含钨基材进行化学机械抛光的方法。
申请公布号 CN103042464B 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201210289371.7 申请日期 2012.08.14
申请人 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 发明人 郭毅;李在锡;R·L·小拉沃;张广云
分类号 B24B37/04(2012.01)I;C09G1/02(2006.01)I 主分类号 B24B37/04(2012.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 项丹
主权项 一种用来对基材进行化学机械抛光的方法,该方法包括:提供基材,其中所述基材包含钨;提供化学机械抛光浆组合物,其包含如下组分作为初始组分:水;0.1至5重量%的磨料;式(I)所示的0.005至0.1重量%的双季化合物:<img file="FDA0000606137710000011.GIF" wi="1146" he="378" />其中每一个A独立地选自N和P;其中R<sup>1</sup>选自:饱和或不饱和C<sub>1</sub>‑C<sub>15</sub>烷基基团、C<sub>6</sub>‑C<sub>15</sub>芳基基团以及C<sub>6</sub>‑C<sub>15</sub>芳烷基基团;其中R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>以及R<sup>7</sup>每一个独立地选自:氢、饱和或不饱和C<sub>1</sub>‑C<sub>15</sub>烷基基团、C<sub>6</sub>‑C<sub>15</sub>芳基基团以及C<sub>6</sub>‑C<sub>15</sub>芳烷基基团以及C<sub>6</sub>‑C<sub>15</sub>烷芳基基团;以及,式(I)中的阴离子可以是任意阴离子或者平衡了式(I)中阳离子的2+电荷的阴离子的组合;0.001至10重量%的邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐、邻苯二甲酸盐/酯化合物以及邻苯二甲酸衍生物中的至少一种;以及0.001至10重量%的碘酸钾;其中所述化学机械抛光浆组合物的pH为1至4;其中所述化学机械抛光浆组合物的钨静态蚀刻速率≤5 Å/分钟和钨去除速率≥100 Å/分钟;其中所述化学机械抛光浆组合物含&lt;0.001重量%的过氧化氧化剂;以及,所述化学机械抛光浆组合物含小于0.0001重量%的腐蚀抑制剂;提供具有抛光表面的化学机械抛光垫;以0.69至34.5kPa的向下作用力在化学机械抛光垫的抛光表面和基材之间的界面处建立动态接触;以及在所述化学机械抛光垫和基材之间的界面处或界面附近,将所述化学机械抛光浆组合物分配到所述化学机械抛光垫上;其中,所述基材是抛光的;且从基材上除去一些钨。
地址 美国特拉华州