低压带隙基准源电路

摘要

低压带隙基准源电路，涉及电子技术，本发明包括电流镜和第一晶体管、第二晶体管，还包括运算放大器，运算放大器的输出端接电流镜结构中的栅极连接点；运算放大器的负性输入端接第一晶体管的集电极，负性输入端还通过第一电阻接电流镜的第一输出端，电流镜的第一输出端还通过第二电阻接第一参考点；运算放大器的正性输入端接第二晶体管的集电极；正性输入端还通过第四电阻接电流镜202的第二输出端，电流镜的第二输出端还通过第五电阻接第一参考点；本发明避免了双极型晶体管自身电流增益β对最终基准电压温度稳定性的影响，同时使得基准电压可以有更大的调节范围，能够实现相对较低的电压输出。

主权项

低压带隙基准源电路，包括电流镜(202)和第一晶体管(204)、第二晶体管(206)，其特征在于，还包括运算放大器(330)，运算放大器(330)的输出端接电流镜(202)中的栅极连接点；运算放大器(330)的负性输入端接第一晶体管(204)的集电极，负性输入端还通过第一电阻(4481)接电流镜(202)的第一输出端(2161)，电流镜(202)的第一输出端(2161)还通过第二电阻(3261)接第一参考点；运算放大器(330)的正性输入端接第二晶体管(206)的集电极；正性输入端还通过第四电阻(4482)接电流镜(202)的第二输出端(2162)，电流镜(202)的第二输出端(2162)还通过第五电阻(3262)接第一参考点；第一参考点连接第一晶体管(204)的基极和第二晶体管(206)基极，第一参考点还通过第三电阻(212)连接第二参考点，第二参考点通过第六电阻(222)连接电压输出端V_REF，电压输出端V_REF接电流镜的第三输出端(214)；第一晶体管(204)的发射极通过第七电阻(210)接第二参考点，第二晶体管(206)的发射极接第二参考点。