萧特基二极体元件;SCHOTTKY BARRIER DIODE COMPONENT

摘要

一种萧特基二极体元件，包括：一基板、一缓冲层形成于该基板上、一上层形成于该缓冲层上、一第一电极层形成于该上层上作为该萧特基二极体元件之阳极、一第二电极层设于该上层上作为该萧特基二极体元件之阴极、一第一n型参杂区形成于该第一电极层之边缘内侧下方的该上层中，且与该第一电极层接触；其中，该第一n型参杂区的边缘与该第一电极层的边缘，于该第一电极层面向该第二电极层的一第一方向上，系相隔一第一既定距离。