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经营范围
发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
本半导体装置具有一积层体,其层积有复数个半导体晶片,以及一贯穿电极,其将积层于该积层体的最下层的半导体晶片上的各个半导体晶片沿厚度方向贯穿、并且与该最下层的半导体晶片的垫电极连接,其中,该积层体的电源线和信号线的至少一者,透过该贯穿电极,与构成该积层体的半导体晶片共同地连接。
申请公布号
TW201526191
申请公布日期
2015.07.01
申请号
TW102147162
申请日期
2013.12.19
申请人
WOW研究中心股份有限公司 WOW RESEARCH CENTER CORPORATION
发明人
白田理一郎 SHIROTA, RIICHIRO;大场隆之 OHBA, TAKAYUKI
分类号
H01L23/52(2006.01);H01L27/105(2006.01)
主分类号
H01L23/52(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群陈文郎
主权项
地址
日本 JP
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