发明名称 具氮化铝薄膜之热扩散元件及其制作方法
摘要
申请公布号 TWI490117 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW099140602 申请日期 2010.11.24
申请人 国立清华大学 发明人 岑尚仁;林溥如;陈建亨
分类号 B32B18/00;G06F1/20;H05K7/20 主分类号 B32B18/00
代理机构 代理人 苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼;陈聪浩 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏清泽 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 一种具氮化铝薄膜之热扩散元件,包括:一基板,其系为一半导体晶片并具有一上表面、及一下表面;以及一氮化铝薄膜,其系设于该基板之该上表面上,该氮化铝薄膜之厚度系介于1nm至10μm之间,且该氮化铝薄膜系作为热传输媒介;其中该氮化铝薄膜系透过直流真空溅镀、脉冲式直流真空溅镀、磁控溅镀、射频溅镀系统、蒸镀法、化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法、感应耦合式电浆沉积法、微波电子回旋共振沉积法、或原子气相沉积法所形成。
地址 新竹市光复路2段101号