发明名称 |
具氮化铝薄膜之热扩散元件及其制作方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI490117 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
TW099140602 |
申请日期 |
2010.11.24 |
申请人 |
国立清华大学 |
发明人 |
岑尚仁;林溥如;陈建亨 |
分类号 |
B32B18/00;G06F1/20;H05K7/20 |
主分类号 |
B32B18/00 |
代理机构 |
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代理人 |
苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼;陈聪浩 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏清泽 台北市松山区敦化北路102号9楼 |
主权项 |
一种具氮化铝薄膜之热扩散元件,包括:一基板,其系为一半导体晶片并具有一上表面、及一下表面;以及一氮化铝薄膜,其系设于该基板之该上表面上,该氮化铝薄膜之厚度系介于1nm至10μm之间,且该氮化铝薄膜系作为热传输媒介;其中该氮化铝薄膜系透过直流真空溅镀、脉冲式直流真空溅镀、磁控溅镀、射频溅镀系统、蒸镀法、化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法、感应耦合式电浆沉积法、微波电子回旋共振沉积法、或原子气相沉积法所形成。
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地址 |
新竹市光复路2段101号 |