| 发明名称 | 一种调节衬底翘曲度的外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种调节衬底翘曲度的外延生长方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长横向生长结构层；在所述横向生长结构层上生长非掺杂氮化镓层；在所述非掺杂氮化镓层上生长N型掺杂层；在所述N型掺杂层上生长量子阱发光层；在所述量子阱发光层生长P型掺杂层，本发明提供的外延生长方法有效地调节了衬底的翘曲度，提升了波长的均匀性，解决了现有技术中由于衬底的翘曲度变大而影响发光二极管波长均匀性的技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104752167A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201510163413.6 | 申请日期 | 2015.04.08 |
| 申请人 | 圆融光电科技股份有限公司 | 发明人 | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 陶敏;黄健 |
| 主权项 | 一种调节衬底翘曲度的外延生长方法，其特征在于，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长横向生长结构层；在所述横向生长结构层上生长非掺杂氮化镓层；在所述非掺杂氮化镓层上生长N型掺杂层；在所述N型掺杂层上生长量子阱发光层；在所述量子阱发光层上生长P型掺杂层。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||