一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管，属于光电子制造技术领域，该发光二极管包括依次层叠的衬底、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO导电膜、分布布拉格反射层以及绝缘层，还包括P电极和N电极，P电极中第一P电极夹持于ITO导电膜与分布布拉格反射层之间，第二P电极夹持于分布布拉格反射层与绝缘层之间，第三P电极设置在绝缘层上，三个P电极相接触，N电极中第一N电极设置于N极孔中并与N型GaN层接触，第二电极夹持于分布布拉格反射层与绝缘层之间，第三N电极设置在绝缘层上，三个N电极相接触，第一P电极与第一N电极间隔排列。该发光二极管中电流通道更短，增强了ITO的电流扩展效果。

主权项

一种发光二极管，所述发光二极管包括依次层叠的衬底、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO导电膜、分布布拉格反射层以及绝缘层，还包括P电极和N电极，其特征在于，所述发光二极管中设置有多个穿透所述ITO导电膜、所述P型GaN层、所述量子阱层后延伸至所述N型GaN层的N极孔，还设置有多个电流阻挡块，所述N极孔的孔周侧覆盖有部分所述分布布拉格反射层，所述分布布拉格反射层上设置有多个与所述N极孔同轴并穿透所述分布布拉格反射层的反射层孔，所述绝缘层上设置有多个绝缘层孔，所述电流阻挡块夹持于所述P型GaN层和所述ITO导电膜之间，所述P电极包括多个第一P电极、第二P电极以及第三P电极，所述第一P电极夹持于所述ITO导电膜与所述分布布拉格反射层之间且与所述电流阻挡块一一对应，所述第二P电极夹持于所述分布布拉格反射层与所述绝缘层之间，且所述第二P电极的一端穿过部分所述反射层孔后与所述第一P电极接触，所述第三P电极设置在所述绝缘层上，且所述第三P电极的一端穿过部分所述绝缘层孔后与所述第二P电极接触，所述N电极包括多个第一N电极、第二N电极以及第三N电极，所述第一N电极设置于所述N极孔中并与所述N型GaN层接触，所述第二电极夹持于所述分布布拉格反射层与所述绝缘层之间，且所述第二N电极的一端穿过部分所述反射层孔后与所述第一N电极接触，所述第三N电极设置在所述绝缘层上，且所述第三N电极的一端穿过部分所述绝缘层孔后与所述第二N电极连接，所述第一P电极与所述第一N电极间隔排列。