包含铜柱结构的集成电路及其制造方法

摘要

本发明公开一种包含铜柱结构的集成电路及其制造方法。于一示例实施例中，集成电路包括最后金属层以及设置于该最后金属层上方的钝化层，该最后金属层及钝化层二者设置于形成于半导体衬底上的集成电路主动组件上方。该集成电路进一步包括铜柱结构，其部分设置于该钝化层的第一部分内且位于该最后金属层正上方。该钝化层的该第一部分由该钝化层的第一及第二侧壁以及该最后金属层的上表面所定义。该铜柱结构包括沿着该第一及第二侧壁以及该最后金属层的该上表面上方所形成的衬里以及该衬里内的铜材料。包括该衬里以及该衬里内的铜材料的铜柱结构进一步延伸至该钝化层的上表面之上一高度。

主权项

一种集成电路，其包括：最后金属层以及设置于该最后金属层上方的钝化层，该最后金属层以及该钝化层二者设置于半导体衬底上的集成电路主动组件上方；铜柱结构，其部分设置于该钝化层的第一部分内且位于该最后金属层正上方，其中，该钝化层的该第一部分由该钝化层的第一和第二侧壁以及该最后金属层的上表面所定义，以及其中，该铜柱结构包含沿着该第一及第二侧壁以及该最后金属层的该上表面上方所形成的衬里以及该衬里内的铜材料，其中，包含该衬里以及该衬里内的该铜材料二者的该铜柱结构进一步延伸至该钝化层的上表面之上的一高度。