具有硅基板上的纳微复合结构的太阳能电池的制备方法及由此制备的太阳能电池

摘要

本发明的一实施例涉及具有硅基板上的纳微复合结构的太阳能电池的制备方法及由此制备的太阳能电池。所要解决的技术问题在于，提供一种太阳能电池的制备方法及由此制备的太阳能电池，所述方法能够根据光刻胶的光刻设计来形成不同大小的微米线，并且，通过调节湿式蚀刻溶液的浓度和浸渍时间来形成不同大小及纵横比的纳米线。为此，本发明提供一种太阳能电池的制备方法及由此制备的太阳能电池，上述方法包括：准备具有第一面和第二面的第一导电型半导体基板的步骤；以多个横向线和多个纵向线相互交叉的平面形态在第一导电型半导体基板的第二面上对光刻胶进行图案化的步骤；以在与光刻胶相对应的区域形成宽度为1μm至3μm、高度为3μm至5μm的微米线，在不与光刻胶相对应的区域形成宽度为1nm至100nm、高度为1μm至3μm的多个纳米线的方式对上述半导体基板进行无电解蚀刻的步骤；利用POCl3在微米线及纳米线掺杂第二导电型杂质的步骤；在半导体基板的第一面上形成第一电极的步骤；以及在微米线上形成第二电极的步骤，其中太阳能电池的效率为10％至13％，该效率是每单位面积入射的光能和功率的比。

主权项

一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：准备具有第一面和第二面的第一导电型半导体基板的步骤；以多个横向线和多个纵向线相互交叉的平面形态在上述第一导电型半导体基板的第二面上对光刻胶进行图案化的步骤；无电解蚀刻上述半导体基板，以在与上述光刻胶相对应的区域形成宽度为1μm至3μm、高度为3μm至5μm的微米线，在不与上述光刻胶相对应的区域形成宽度为1nm至100nm、高度为1μm至3μm的多个纳米线的步骤；利用POCl3来在上述微米线及上述纳米线掺杂第二导电型杂质的步骤；在上述半导体基板的第一面上形成第一电极的步骤；以及在上述微米线上形成第二电极的步骤，其中，作为每单位面积入射的光能和功率的比的上述太阳能电池的效率为10％至13％。