| 发明名称 |
配线基板之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI491332 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
| 申请号 |
TW101126536 |
申请日期 |
2012.07.24 |
| 申请人 |
日本特殊陶业股份有限公司 |
发明人 |
肥后一咏;鸟居拓弥;山下大辅 |
| 分类号 |
H05K3/46;H01L23/13;H01L23/485 |
主分类号 |
H05K3/46 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种配线基板之制造方法，该配线基板具有表面及背面，在前述表面构装半导体晶片，该配线基板之制造方法具有以下制程：分别积层1层以上的导体层及树脂绝缘层，在表面侧及背面侧的表层分别形成具有至少1个以上的连接端子的增建层；及在表面侧的前述增建层上积层膜状的第1防焊阻剂而形成第1防焊阻剂层，在背面侧的前述增建层上积层厚度比前述第1防焊阻剂层还厚的膜状的第2防焊阻剂而形成第2防焊阻剂层。
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| 地址 |
日本 |
