| 发明名称 | 具有金属闸极之电晶体及其制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI490949 | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | TW099128077 | 申请日期 | 2010.08.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 马诚佑;洪文瀚;罗大刚;陈再富;郑子铭 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种制作具有金属闸极之电晶体的方法，包含有下列步骤：提供一基底，该基底上定义有一电晶体区；形成一闸极绝缘层于该基底上；形成一堆叠薄膜并覆盖该闸极绝缘层，该堆叠薄膜至少包含一蚀刻停止层、一多晶矽层以及一硬遮罩；图案化该闸极绝缘层及该堆叠薄膜，以于该基底上形成一虚置闸极；形成一介电层并覆盖该虚置闸极；进行一平坦化制程，以去除部分该介电层直至该虚置闸极顶部；去除该虚置闸极中之该多晶矽层；去除该虚置闸极中之该蚀刻停止层以形成一开口；填入一导电层于该开口内以形成一闸极。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||