| 主权项 |
一种LED晶片接合体之制造方法，其特征为：将一个或二个以上的LED晶片装配在板厚为0.1~2mm、表面粗糙度(Ra)为0.5μm以下的金属含浸陶瓷基板或金属基板后，将上述金属含浸陶瓷基板或金属基板切断为包含LED晶片且为LED晶片底面积的2倍以上的大小；该金属含浸陶瓷基板系以熔汤锻造法使含铝率为80~97质量%的铝-矽合金、或是以熔融含浸法使矽或矽合金，含浸于由选自碳化矽、氮化铝、氮化矽、钻石及石墨之至少1种所构成且气孔率为10~50体积%之多孔体或粉末成形体者；该金属基板系选自铜(Cu)、钼(Mo)及钨(W)的金属板、包含上述金属成分之至少1种的合金板、或以选自上述金属板及上述合金板之2种以上所构成的积层板；金属含浸陶瓷基板或金属基板，系在其表面具有0.5~20μm厚度之选自Ni、Co、Pd、Cu、Au、Pt及Sn之至少1种的金属层。 |
