| 发明名称 | 物理气相沉积设备的产能计算方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种物理气相沉积设备的产能计算方法及系统，其中，方法包括：在工艺流程开始时，记录工艺流程的开始时间T<sub>s</sub>；在工艺流程开始后，实时监测晶片的位置变化，当监测到第N片晶片被传回物料盒后，记录第N片晶片被传回时的时间T<sub>N</sub>，其中，N为整数且N≥1；根据求平均值法，实时计算N片晶片中每片晶片完成工艺所需的平均时间<img file="DDA0000451988990000011.GIF" wi="512" he="72" />根据设备的产能的定义，实时计算设备的产能P并进行显示，<img file="DDA0000451988990000012.GIF" wi="580" he="72" />其中，t为单位时间。本发明提供的物理气相沉积设备的产能计算方法及系统，可以实时计算设备的产能并进行显示，有效减少了冗余数据的产生，减小了误差，能够实时有效的反应设备的实际生产能力。 | ||
| 申请公布号 | CN104750962A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310750694.6 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 相会凤 |
| 分类号 | G06F19/00(2011.01)I | 主分类号 | G06F19/00(2011.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 陈振 |
| 主权项 | 一种物理气相沉积设备的产能计算方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，在工艺流程开始时，记录所述工艺流程的开始时间T<sub>s</sub>；S200，在所述工艺流程开始后，实时监测晶片的位置变化，当监测到第N片晶片被传回物料盒后，记录所述第N片晶片被传回时的时间T<sub>N</sub>，其中，N为整数且N≥1；S300，根据求平均值法，实时计算N片晶片中每片晶片完成工艺所需的平均时间<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mover><mi>t</mi><mo>‾</mo></mover><mo>:</mo><mover><mi>t</mi><mo>‾</mo></mover><mo>=</mo><mrow><mo>(</mo><msub><mi>T</mi><mi>N</mi></msub><mo>-</mo><msub><mi>T</mi><mi>s</mi></msub><mo>)</mo></mrow><mo>/</mo><mi>N</mi><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000451988960000011.GIF" wi="522" he="89" /></maths>S400，根据设备的产能的定义，实时计算所述设备的产能P并进行显示，<maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><mi>P</mi><mo>+</mo><mi>t</mi><mo>/</mo><mover><mi>t</mi><mo>‾</mo></mover><mo>=</mo><mi>t</mi><mo>*</mo><mi>N</mi><mo>/</mo><mrow><mo>(</mo><msub><mi>T</mi><mi>N</mi></msub><mo>-</mo><msub><mi>T</mi><mi>s</mi></msub><mo>)</mo></mrow><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000451988960000012.GIF" wi="590" he="89" /></maths>其中，t为单位时间。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||