场效应半导体器件及其制造

摘要

本发明涉及场效应半导体器件及其制造。功率半导体器件包含半导体主体，所述半导体主体具有第一表面并且包含有源区域，所述有源区域包含n型半导体区和p型半导体区，n型半导体区在基本上平行于第一表面的方向与p型半导体区交替。半导体主体进一步包含外围区域，所述外围区域围绕有源区域并且包含：低掺杂半导体区，所述低掺杂半导体区具有低于n型半导体区的n掺杂剂的掺杂浓度的n掺杂剂的第一浓度；和至少一个辅助半导体区，所述至少一个辅助半导体区具有高于第一浓度的n掺杂剂的浓度和高于第一浓度的p掺杂剂的浓度。

主权项

一种场效应半导体器件，包括：半导体主体，所述半导体主体包括第一表面、在基本上与第一表面平行的方向将半导体主体定界的边缘、有源区域、和布置在有源区域与边缘之间的外围区域；源极金属化，所述源极金属化布置在第一表面上；和漏极金属化，所述漏极金属化与源极金属化相对，在外围区域中半导体主体包括低掺杂半导体区，所述低掺杂半导体区具有第一导电类型的掺杂剂的第一平均浓度，在基本上与第一表面正交的垂直横截面中，半导体主体进一步包括：第一导电类型的多个柱区，所述第一导电类型的多个柱区在有源区域中与第二导电类型的柱区交替，第一导电类型的柱区与漏极金属化欧姆接触，第二导电类型的柱区与源极金属化欧姆接触；和至少一个辅助柱区，所述至少一个辅助柱区布置在外围区域中并且包括第一导电类型的掺杂剂和第二导电类型的掺杂剂，所述至少一个辅助柱区具有大于第一平均浓度的第一导电类型的掺杂剂的平均浓度。