一种半导体器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有硅通孔凹槽；选用牺牲材料层填充所述硅通孔凹槽；在所述半导体衬底以及所述牺牲材料层上沉积层间金属介电层；图案化所述层间金属介电层，以形成第一开口，露出所述牺牲材料层；去除所述牺牲材料层，以露出所述硅通孔凹槽；在所述硅通孔凹槽以及第一开口中填充导电材料，以同时形成硅通孔结构以及位于硅通孔结构上方的第一金属层。在本发明中通过对工艺过程的改进，从而可以通过一次填充以及平坦化步骤同时形成所述硅通孔结构以及位于所述硅通孔结构上方的第一金属层，通过减少TSV和后端制程（BEOL metal）互连过程中电镀和化学机械研磨的次数来降低生产制造成本。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有硅通孔凹槽；选用牺牲材料层填充所述硅通孔凹槽；在所述半导体衬底以及所述牺牲材料层上沉积层间金属介电层；图案化所述层间金属介电层，以形成第一开口，露出所述牺牲材料层；去除所述牺牲材料层，以露出所述硅通孔凹槽；在所述硅通孔凹槽以及所述第一开口中填充导电材料，以同时形成硅通孔结构以及位于所述硅通孔结构上方的第一金属层。