发明名称 具有单侧基板设计的半导体封装及其制造方法
摘要 本发明公开一种半导体封装及其制造方法,该半导体封装包括基板单元、电性连接至多个第一接触垫的管芯以及覆盖第一图案化导电层与管芯的封装主体。基板单元包括:(1)第一图案化导电层;(2)暴露出第一图案化导电层的一部分以形成第一接触垫的第一介电层;(3)第二图案化导电层;(4)定义出多个从第一图案化导电层延伸至第二图案化导电层的开口的第二介电层,其中第二图案化导电层包括多个被第二介电层所暴露出的第二接触垫;(5)多个从第一图案化导电层延伸至穿过开口的第二接触垫的导电凸块,每一导电凸块填充一个对应的开口。至少其中的一个导电凸块定义出凹穴。
申请公布号 CN104752391A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201510085309.X 申请日期 2011.03.03
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 苏洹漳;黄士辅;李明锦;陈嘉成;谢佳雄;陈姿慧;陈光雄;谢宝明
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 翟然
主权项 一种半导体封装,包括:基板单元,包括:第一图案化导电层,具有上表面,其中该第一图案化导电层是由两导电层与位于该些导电层之间的种子层所组成;第一介电层,配置于该第一图案化导电层的该上表面,该第一介电层暴露出该第一图案化导电层的一部分以形成多个第一接触垫;第二图案化导电层,位于该第一图案化导电层的下方且具有下表面;第二介电层,位于该第一图案化导电层与该第二图案化导电层之间,其中该第二介电层定义出多个从该第一图案化导电层延伸至该第二图案化导电层的开口,以及该第二图案化导电层包括多个被该第二介电层所暴露出的第二接触垫;以及多个导电凸块,是由部分该种子层所定义,每一导电凸块经由位于该第二介电层中的对应的一个开口从该第一图案化导电层延伸至对应的一个第二接触垫,每一导电凸块填充于位于该第二介电层中的对应的一个开口内;管芯,电性连接该多个第一接触垫;以及封装主体,覆盖该第一图案化导电层与该管芯。
地址 中国台湾高雄市