一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；在多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；在铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；对半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的多孔低k介电层，并提升多孔低k介电层的机械强度；在铜金属互连结构中填充铜金属互连层。根据本发明，在沉积形成铜金属扩散阻挡层之后，对半导体衬底实施后处理过程，可以修复形成铜金属互连结构时受到损伤的多孔低k介电层，提升多孔低k介电层的机械强度，避免器件性能的下降。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；在所述多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；在所述铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；对所述半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的所述多孔低k介电层，并提升所述多孔低k介电层的机械强度。