一种晶圆级白光LED芯片的切割方法

摘要

本发明提供了一种晶圆级白光LED芯片的切割方法，包括通过衬底转移工艺制备垂直结构的GaNLED晶圆片，激光切割晶圆片正面的切割道，形成凹槽，在晶圆片上涂布一荧光胶层并烘烤固化，对晶圆片背面减薄并蒸镀背金层，刀片背切晶圆片，切割位置与正面的凹槽相对应，沿晶圆片的凹槽进行劈裂，获得单颗白光LED芯片。本发明可以很顺利地实现晶圆级白光LED芯片的分离，不会破坏LED芯片表面的荧光胶层，避免了传统切割工艺带来的破损、崩裂现象，提高了白光LED的生产良率。

主权项

一种晶圆级白光LED芯片的切割方法，其特征在于包括如下步骤：通过衬底转移工艺制备垂直结构的GaN LED晶圆片；激光切割晶圆片正面的切割道，形成凹槽；在晶圆片上涂布一荧光胶层并烘烤固化；对晶圆片背面减薄并蒸镀背金层；刀片背切晶圆片，切割位置与正面的凹槽相对应；沿晶圆片的凹槽进行劈裂，获得单颗白光LED芯片。