发明名称 |
非侵入式温度测量组件 |
摘要 |
一种与过程器皿壁一起使用的温度传感器组件,包括:基座结构、第一温度传感器、第二温度传感器和处理器。基座结构与过程器皿壁的外表面形成接触区域。第一温度传感器延伸穿过基座结构,以测量过程器皿壁的外表面的温度。第二温度传感器处于与第一表面隔开的第二表面,以测量基座结构的第二表面的温度。处理器与第一温度传感器和第二温度传感器相连,并被适配为将内部过程器皿壁温度值确定为过程器皿壁的外表面的测量温度、基座结构的第二表面的测量温度、基座结构参数和过程器皿壁参数的函数。 |
申请公布号 |
CN104748889A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201410136433.X |
申请日期 |
2014.04.04 |
申请人 |
罗斯蒙特公司 |
发明人 |
派特·多德森·匡威 |
分类号 |
G01K13/02(2006.01)I;G01K1/16(2006.01)I;G06F19/00(2011.01)I |
主分类号 |
G01K13/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
余婧娜 |
主权项 |
一种与过程器皿壁一起使用的温度传感器组件,所述组件包括:基座结构,包括:第一表面,被适配为:与所述过程器皿壁的外表面的一部分形成接触区域,以及第二表面,与所述第一表面分隔;第一温度传感器,延伸穿过所述基座结构到达所述接触区域,以测量所述过程器皿壁的外表面的温度;第二温度传感器,放置于所述基座结构的第二表面,以测量所述基座结构的第二表面的温度;以及处理器,与所述第一温度传感器和所述第二温度传感器相连,并被适配为:将内部过程器皿壁温度值确定为所述过程器皿壁的外表面的测量温度、所述基座结构的第二表面的测量温度、基座结构参数和过程器皿壁参数的函数。 |
地址 |
美国明尼苏达州 |