NAND坏块处理方法及NAND闪存设备

摘要

本发明公开了一种NAND坏块处理方法及NAND闪存设备，所述NAND闪存设备包括：数据区域，包括多个块，用于存储数据；替换区域，包括多个块，当所述数据区域和/或所述替换区域本身中的一个以上的块发生损坏而成为坏块时，作为替换块，用于替换所述一个以上的坏块；BBT区，用于存储坏块表，所述坏块表指明所述坏块与所述替换块之间的映射关系；BBT索引区，位于指定的块中，所述BBT索引区存储有索引文件，所述索引文件包括指引所述BBT区所在块的地址的索引条目。本发明能减少坏块处理对存储空间的额外要求。

主权项

一种NAND闪存设备，其特征在于，所述NAND闪存设备包括：数据区域，包括多个块，用于存储数据；替换区域，包括多个块，当所述数据区域和/或所述替换区域本身中的一个以上的块发生损坏而成为坏块时，作为替换块，用于替换所述一个以上的坏块；BBT区，用于存储坏块表，所述坏块表指明所述坏块与所述替换块之间的映射关系；BBT索引区，位于指定的块中，所述BBT索引区存储有索引文件，所述索引文件包括指引所述BBT区所在块的地址的索引条目。