基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备方法及其应用

摘要

本发明涉及一种基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备方法与应用。该方法以半导体晶片或薄膜为基底，通过对半导体表面进行图形化处理，利用缺陷位置具有高化学活性的特定进行激光辅助的化学沉积，可在半导体表面获得高度有序的贵金属纳米结构阵列。该方法操作简单，成本低且效率高，绿色环保无污染，易于大规模批量化生产。可用于制备表面增强的拉曼衬底以及超疏水、自清洁、表面装饰等领域。

主权项

一种基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备方法，以半导体晶片或薄膜为基底，包括步骤如下：(1)半导体晶片或薄膜表面图形化处理清洗半导体晶片或薄膜，然后在半导体晶片或薄膜表面进行图形化处理，形成表面缺陷阵列图形，再进行二次清洗；(2)将步骤(1)制备的图形化半导体晶片或薄膜浸入腐蚀液中，以去除表面氧化层，然后用去离子水冲洗并用N₂吹干；(3)半导体晶片或薄膜表面贵金属纳米结构阵列的制备将步骤(2)处理好的图形化半导体晶片或薄膜浸没入贵金属前驱体溶液中，在光照条件下，贵金属前驱体溶液在图形化处理的半导体晶片或薄膜的缺陷集中区域进行氧化还原反应，在半导体或薄膜表面获得高度有序的贵金属纳米结构阵列。