| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN103035702B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201210269621.0 | 申请日期 | 2012.07.30 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 冈本直哉;牧山刚三;多木俊裕;美浓浦优一;尾崎史朗;宫岛丰生 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；形成在所述化合物半导体层上并且包括通孔的绝缘膜；以及形成在所述绝缘膜上以填塞所述通孔的电极，其中在所述电极中形成有在不同的晶体取向之间的晶界，并且所述晶界的端部在所述绝缘膜的平坦表面上与所述通孔间隔开；其中所述绝缘膜中的所述通孔的边缘具有弯曲的表面；其中在所述绝缘膜中的所述通孔的边缘处的所述弯曲的表面的曲率半径不小于所述绝缘膜的厚度的四分之一并且不大于所述厚度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||