发明名称 晶片电阻器
摘要 本发明系关于一种晶片电阻器,其包括:一基材、二第一电极、二第二电极、一电阻层、至少一保护层及至少一镀层。该至少一保护层设置于该电阻层上,且覆盖部分二第一电极,该至少一保护层包括至少二覆盖侧面及至少一覆盖平面。该至少一镀层覆盖该至少二覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分二第一电极及二第二电极。本发明之晶片电阻器利用二覆盖侧面及该覆盖平面,以延长二第一电极与外界之距离,使得空气中传播的硫、硫化物及含硫化合物难以进入与二第一电极反应。故本发明之晶片电阻器可抵抗硫、硫化物及含硫化合物或卤素等有害物质对于电极的腐蚀。
申请公布号 TW201526035 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW102148245 申请日期 2013.12.25
申请人 国巨股份有限公司 YAGEO CORPORATION 发明人 蔡东谋;陈财虎;萧胜利;刘永汉;何仁富
分类号 H01C1/032(2006.01) 主分类号 H01C1/032(2006.01)
代理机构 代理人 蔡东贤
主权项
地址 高雄市楠梓区楠梓加工出口区西三街16号 TW