半导体记忆装置

摘要

实施形态之半导体记忆装置包含：第1至第3页、第1至第3字元线、及对第1及第2记忆胞之闸极施加电压之列解码器。于资料之写入时，对第1页写入资料，其后对第2页写入资料。列解码器于编程验证动作时对第1至第3记忆胞之闸极施加第1至第3验证电压。