发明名称 具有耦合的自由磁性层之垂直自旋转移力矩记忆体(STTM)装置;PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICE WITH COUPLED FREE MAGNETIC LAYERS
摘要 说明具有增强的稳定度及阻尼之垂直自旋转移力矩记忆体(STTM)装置。举例而言,用于磁穿隧接面之材料层堆叠包含固定磁性层。介电层配置于固定磁性层上方。第一自由磁性层配置于介电层上方。第二自由磁性层与第一自由磁性层磁耦合。
申请公布号 TW201525996 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW103132061 申请日期 2014.09.17
申请人 英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION 发明人 郭 查尔斯 KUO, CHARLES C.;欧固兹 肯恩 OGUZ, KAAN;达克西 马克 DOCZY, MARK L.;道尔 布莱恩 DOYLE, BRIAN S.;苏利 沙亚斯 SURI, SATYARTH;乔 罗伯特 CHAU, ROBERT S.;肯克 大卫 KENCKE, DAVID L.;哥梨萨德莫札拉得 洛桑那 GOLIZADEH MOJARAD, ROKSANA;查德瑞 安纳拉 CHAUDHRY, ANURAG
分类号 G11C11/16(2006.01) 主分类号 G11C11/16(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国 US