化合物半导体装置及其制造方法

主权项

一种化合物半导体装置，系包括：基板；电子传输层与电子供给层，系形成于该基板上；闸极电极、源极电极与汲极电极，系形成于该电子供给层上；p型半导体层，系形成于该电子供给层与该闸极电极之间；以及电洞消除层，系形成于该电子供给层与该p型半导体层之间，该电洞消除层系包括供体或复合中心并消除电洞。