互连介质层、其制作方法及包括其的半导体器件

摘要

本申请公开了一种互连介质层、其制作方法及包括其的半导体器件。该互连介质层包括衬底，以及依次设置于衬底上的阻挡层和介质层，其中至少一层阻挡层为N掺杂SiC层形成的SiCN层。该制作方法包括提供衬底，以及在衬底上依次形成阻挡层和介质，其中至少一层阻挡层为SiCN层，所述SiCN层的形成步骤为：形成SiC材料层；以及对SiC材料层进行N掺杂处理形成SiCN层。该制作方法通过对SiC阻挡层进行氮掺杂处理，形成了具有优良的抗氧化性、抗腐蚀性和热稳定性能的SiCN层。该SiCN层不会被后续工艺中的清洗试剂腐蚀形成缺口，避免了导电金属在阻挡层中产生横向扩散，提高了互连介质层的隔离效果。

主权项

一种互连介质层，包括衬底，以及依次设置于所述衬底上的阻挡层和介质层，所述阻挡层为一层或多层，其特征在于，至少一层所述阻挡层为N掺杂SiC层形成的SiCN层。