发明名称 |
应用于NVM芯片的失效位图分析方法 |
摘要 |
本发明公开了一种应用于NVM芯片的失效位图分析方法,该方法从芯片外部由具有位图分析功能的测试仪输入HV信号,测试芯片的擦除、编程、读取功能,用位图分析方法进行分析,存储单元阵列中,缺陷附近的行或列在位图中表现为读取错误,远离缺陷的行或列在位图中表现为读取正确,根据位图反映的缺陷特征信息分析失效机理和定位失效位置。本发明通过改进常规的失效位图分析方法,将HV信号由芯片内部Pump电路模块产生改为由芯片外部测试仪输入,从而在NVM存储阵列全部存储单元Read失效的情况下,得到了失效芯片的具有缺陷特征的位图信息,不仅突破了常规位图分析方法的限制,而且大大提高了位图分析定位的有效性和适用范围。 |
申请公布号 |
CN104751875A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310726710.8 |
申请日期 |
2013.12.25 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
曾志敏 |
分类号 |
G11C8/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C8/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
应用于NVM芯片的失效位图分析方法,其特征在于,从芯片外部由具有位图分析功能的测试仪输入HV信号,测试芯片的擦除、编程、读取功能,用位图分析方法进行分析,存储单元阵列中,缺陷附近的行或列在位图中表现为读取错误,远离缺陷的行或列在位图中表现为读取正确,根据位图反映的缺陷特征信息分析失效机理和定位失效位置。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |