一种改善减薄片背面表观质量的方法

摘要

本发明涉及一种改善减薄片表观质量的方法，包括正面贴膜、背面减薄、背面腐蚀硅、去膜、背面清洗、背面金属化的步骤，分别在背面腐蚀硅工艺中及背面金属化前的二氧化硅去除工艺中采用腐蚀液对减薄片进行腐蚀；背面腐蚀硅工艺中腐蚀液的各组分按体积比为：氢氟酸∶硝酸∶冰乙酸=1∶7∶7；背面金属化前二氧化硅去除工艺中腐蚀液的各组分按体积比为：BOE∶C2H6O2=1∶1.5。经本发明方法处理的晶圆，在后续完成背面金属化工艺后，其背面金属层不会出现卷曲、翘曲等现象，也不会出现由于背面金属层剥落而引起的半导体器件可靠性失效现象。同时，其表观状况明显优于其他清洗方式处理的晶圆。

主权项

一种改善减薄片表观质量的方法，包括正面贴膜、背面减薄、背面腐蚀硅、去膜、背面清洗、背面金属化的步骤，其特征在于：分别在背面腐蚀硅工艺中及背面金属化前的二氧化硅去除工艺中采用腐蚀液对减薄片进行腐蚀；所述背面腐蚀硅工艺中腐蚀液的各组分按体积比为：氢氟酸：硝酸：冰乙酸=1:7:7；所述背面金属化前二氧化硅去除工艺中腐蚀液的各组分按体积比为：BOE：C2H6O2=1:1.5，其中BOE为NH4：HF体积比为：40:1。