一种WLCSP晶圆背面减薄工艺

摘要

本发明记载了一种WLCSP晶圆背面减薄工艺，应用于晶圆级芯片尺寸封装工艺中，通过于待减薄晶圆的正面边缘处的表面形成与凸块高度相当的起物理支撑作用的黏合物层，在对该待减薄晶圆进行减薄时，黏合物层可以起到支撑晶圆边缘的作用，还能起到与保护层粘附的作用，并在对该晶圆进行减薄后去除该支撑结构，从而有效避免了在对晶圆背面进行减薄工艺时晶圆边缘发生崩裂的现象，且进一步提高了晶圆减薄的自由度，进而提高了WLCSP封装的效率。

主权项

一种WLCSP晶圆背面减薄工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有若干个凸起结构的待减薄晶圆；于所述待减薄晶圆的正面边缘处的表面上形成支撑结构；继续于该待减薄晶圆的正面上方覆盖一保护层；利用所述支撑结构支撑所述待减薄晶圆的边缘对该待减薄晶圆的背面进行减薄工艺；去除所述保护层和所述支撑结构；其中，所述支撑结构位于所述待减薄晶圆的非器件区域中。