| 发明名称 | 导电插塞的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种导电插塞的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍式场效应晶体管、刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层中形成第一接触孔；在所述第一接触孔中形成有机填充层；在所述有机填充层上形成图案化的掩膜层；采用第一各向异性刻蚀工艺和第二各向异性刻蚀工艺沿第一开口蚀刻所述填充层，直至形成暴露所述层间介质层的凹槽，所述第一各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括CO<sub>2</sub>，所述第二各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括N<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>。第一各向异性刻蚀工艺对有机填充层的蚀刻速度较快，第二各向异性刻蚀工艺对有机填充层的蚀刻较为缓和，使有机填充层始终保护鳍式场效应晶体管的重掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN104752328A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745861.8 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张城龙;黄敬勇;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍式场效应晶体管、刻蚀停止层和层间介质层，所述刻蚀停止层覆盖所述鳍式场效应晶体管，所述层间介质层覆盖所述刻蚀停止层；在所述层间介质层中形成第一接触孔，所述第一接触孔暴露所述鳍式场效应晶体管的重掺杂区；在所述第一接触孔中形成有机填充层，所述有机填充层同时覆盖所述层间介质层；在所述有机填充层上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层具有位于所述鳍式场效应晶体管栅区上方的第一开口，所述第一开口同时部分位于所述重掺杂区上方；采用第一各向异性刻蚀工艺和第二各向异性刻蚀工艺沿所述第一开口蚀刻所述填充层，直至形成暴露所述层间介质层的凹槽，所述第一各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括CO<sub>2</sub>，所述第二各向异性刻蚀工艺采用的反应气体包括N<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||