发明名称 |
高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法 |
摘要 |
高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法,涉及半导体技术。本发明自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层,其特征在于,所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层,固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部,固定电荷层的上方设置有绝缘帽层,绝缘帽层上方为栅金属。本发明的有益效果是,与其它制造增强型GaN场效应晶体管的技术相比,本技术的制备工艺可控性好,所研制的器件性能重复性好。所研制的增强型GaN MISHEMT器件性能良好,阈值电压大,最大源漏饱和电流密度大,栅漏电小,器件工作电压范围宽,完全可满足GaN集成电路研制需要。 |
申请公布号 |
CN102709322B |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201210172341.8 |
申请日期 |
2012.05.30 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
刘兴钊;陈超;李言荣;张万里 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 |
代理人 |
刘勋 |
主权项 |
高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构,自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层,其特征在于,所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层,固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部,固定电荷层的上方设置有绝缘帽层,绝缘帽层上方为栅金属电极;绝缘隧道层和绝缘帽层材质相同。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |