基板处理装置及半导体装置的制造方法;SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明之课题在于形成离子损伤等较少的高品质膜。;为了解决上述课题，而提供一种基板处理装置，具有：原料气体供给系统，连接于原料气体源，且具有设置原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给管，连接于反应气体源，从上游按顺序设置反应供给控制部、电浆生成部及离子捕获部；惰性气体供给管，下游端连接在前述反应气体供给控制部与前述电浆生成部之间，同时上游端连接于惰性气体供给源，且进一步设置惰性气体供给控制部；反应气体供给系统，具有前述反应气体供给管与前述惰性气体供给管；处理室，从前述原料气体供给系统供给原料气体，且从前述反应气体供给系统供给反应气体，并收纳被处理基板；及控制部，至少控制前述原料气体供给控制部、前述反应气体供给控制部及前述惰性气体供给控制部。