| 发明名称 |
处理基板的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI490945 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
| 申请号 |
TW100114322 |
申请日期 |
2011.04.25 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
甘古利沙谢德利;干德可塔史林尼维斯;雷雨;吕新亮;柳尚澔;金勋;马伯方;张镁;玛哈贾尼梅伊;刘帕特里夏Ｍ |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种处理一基板的方法，包含下列步骤：沉积一介电常数大于10之一介电材料；于该介电材料内形成一特征结构定界；共形沉积一功函数材料至该特征结构定界的数个侧壁和一底部上；以及沉积一金属闸极填充材料至该功函数材料上，以填充该特征结构定界，其中该功函数材料系藉由使具一化学式MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M系钽、铪、钛或镧，X系选自由氟、氯、溴和碘所组成群组，而y系3至5，其中该金属闸极填充材料和该功函数材料系相同材料。 |
| 地址 |
美国 |
