一种改善热载流子注入损伤的离子注入方法

摘要

本发明提供一种改善热载流子注入损伤的离子注入方法，通过在侧墙刻蚀前对漏极区域增加一步紫外线处理工艺，使得漏极区域上方的侧墙层与源极区域上方的侧墙层具有不同的刻蚀速率，进而使源极侧墙的截面宽度小于漏极侧墙的截面宽度，导致漏端的掺杂离子离沟道距离被拉远，而源端的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉近，降低了漏端的纵向电场强度，减小了器件热载流子注入的损伤。

主权项

一种改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，包括：步骤S01、提供衬底，所述衬底包括至少一晶体管区域，所述晶体管区域包括栅极结构、源极区域和漏极区域；步骤S02、在所述衬底上依次淀积侧墙层、保护层以及光刻胶层，所述侧墙层覆盖所述栅极结构、源极区域以及漏极区域；步骤S03、对所述漏极区域进行光刻，去除所述漏极区域的光刻胶层以及保护层，同时去除所述源极区域的光刻胶层；步骤S04、对所述衬底进行紫外线处理工艺；步骤S05、去除所述源极区域的保护层，并对所述侧墙层进行刻蚀，以在所述源极区域上方形成源极侧墙，并在所述漏极区域上方形成漏极侧墙，其中，所述源极侧墙的截面宽度小于所述漏极侧墙的截面宽度；步骤S06、对所述晶体管区域进行离子注入，形成晶体管结构。