| 发明名称 | 信号接收电路 | ||
| 摘要 | 一种信号接收电路，其中，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极并作为所述第一反相器电路的输入端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极并作为所述第一反相器电路的输出端，所述第一PMOS管的源极适于输入第一电压，所述第一NMOS管的源极接地；所述第二PMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极和所述第一反相器电路的输入端，所述第二PMOS管的源极适于输入第二电压，所述第一PMOS管的沟道长度小于所述第二PMOS管的沟道长度。 | ||
| 申请公布号 | CN104753517A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745758.3 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 莫善岳;陈捷;朱恺;郭之光;翁文君 |
| 分类号 | H03K19/017(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/017(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种信号接收电路，其特征在于，包括：第一反相器电路和第二反相器电路；所述第一反相器电路包括：第一PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极并作为所述第一反相器电路的输入端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极并作为所述第一反相器电路的输出端，所述第一PMOS管的源极适于输入第一电压，所述第一NMOS管的源极接地；所述第二反相器电路包括：第二PMOS管和第二NMOS管；所述第二PMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极和所述第一反相器电路的输入端，所述第二PMOS管的源极适于输入第二电压，所述第二电压的电压值大于所述第一电压的电压值，所述第二NMOS管的源极接地；所述第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管的栅氧化层厚度相等，所述第一PMOS管和第一NMOS管的沟道长度均小于所述第二PMOS管的沟道长度，所述第一PMOS管和第一NMOS管的沟道长度均小于所述第二NMOS管的沟道长度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||