集成堆叠式多晶片的半导体器件及其制备方法;SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STACKED MOSFETS AND METHOD OF MANUFACTURE

摘要

本发明涉及包含双MOSFET的堆叠式封装结构及其制备方法。在一晶片安装单元正面和背面分别安装有一个第一晶片和一个第二晶片，并在第一晶片上方安装有一个金属片连接到晶片安装单元的一个第二基座上。第二晶片正面的各电极上设置的金属凸块的顶端面与晶片安装单元中第一和第三基座各自引脚的底面、第二基座的底面位于同一平面。