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<p>일 태양에서, 기판을 처리하는 방법은 기판 표면상에 물질을 갖는 기판을 처리실에 위치시키는 단계와; 기판에 충돌하기 위해 액체 처리 조성물의 스트림을 직향시키는 단계와, 기판에 충돌하거나 액체 처리 조성물과 충돌하기 위해 증기의 스트림을 직향하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 태양은 기판에서 물질 특히, 감광제를 제거하는 것으로, 처리 조성물은 황산 및/또는 그 건조 종 및 전구 물질을 포함하는 액체 황산 조성물이다. 또 다른 태양에서, 황산 및/또는 그 건조 종 및 전구 물질을 포함하는 액체 황산 조성물은 기판 표면의 일부분을 처리하기에 유효한 양으로 기판의 전체 표면 보다 적은 기판의 일부에 분배되고, 액체 황산 조성물은 수증기에 노출되기 전의 액체 황산 조성물의 온도 이상으로 액체 황산 조성물의 온도를 증가하기에 유효한 양으로 수증기에 노출된다. 기판은 처리 단계 중 수증기 및/또는 질소가스 환경으로 에워싸진다.</p> |
